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Ionenimplantation


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Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Dotierung von elektronischen Bauteilen.

Dabei werden Fremdatome mittels Ionenimplantern in das Substrat in der Regel Silizium eingebracht. Typische Dotanten sind

Für Spezialanwendungen wird auch mit Sauerstoff und Stickstoff implantiert.

Zwei Parameter sind bei der Ionenimplantation die Eindringtiefe und die Dotierungsdichte (Anzahl der pro Volumen). Die Eindringtiefe wird von der der Ionen bestimmt die von 500 eV bis reichen kann.

Die Dotierungsdichte wird von der Dosis pro Fläche) bestimmt.

Während der Implantation lagern sich die in das Gitter des Substrats ein und dieses. Daher muss nach einem Implantationsschritt der Wafer ausgeheilt werden. Dies geschieht in Öfen.



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