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Dresdener Technologielinie zur 3D Integration komplettiert

27.01.2011 - (idw) Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM

Die 3D Systemintegration gehört zu den Schlüsseltechnologien in der Mikroelektronik für die Herstellung hochfunktionaler Mikrosysteme. Das Center All Silicon System Integration Dresden kurz ASSID des Fraunhofer IZM hat seit seinem Start im März 2010 den Aufbau einer 300mm-Technologielinie für die 3D Wafer Level System-Integration nahezu abgeschlossen, und die Einzelprozessentwicklungen wurden bereits begonnen. Am Standort Dresden-Moritzburg besteht damit eine der weltweit modernsten Technologielinien für die Realisierung von dreidimensionalen Siliziumsystemen auf der Basis von Through Silicon Vias - TSV, die mit Mitteln der Europäischen Union, dem Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) und dem Freistaat Sachsen realisiert wurde.

Dem Entwicklungs- und Forscherteam am Standort Dresden stehen modernste Anlagen zur Verfügung, welche zu einem Großteil Neuentwicklungen sind, um den hohen technischen Anforderungen gerecht zu werden. Dadurch wurde es erstmals möglich, eine industriekompatible Forschungs- und Entwicklungslinie aufzubauen, die auch für eine Prototypenfertigung geeignet ist. Mit bedeutenden Toolherstellern u.a. Applied Materials, SPTS, Oerlikon, EVG, Suss Microtech, wurden Joint Development Agreements abgeschlossen, um gemeinsam an wichtigen technologischen Entwicklungsthemen im Bereich der 3D Integration zusammenzuarbeiten. Mit wichtigen nationalen Industriepartnern u.a. Global Foundries, NXP, Infineon, Bosch, X-Fab, für die die 3D Systemintegration ein wichtiger Bestandteil für die Produktimplementierung ist, bestehen bereits Projekte bzw. werden derzeitig ausgearbeitet.

Durch die feste Verankerung des Fraunhofer IZM und des ASSID im internationalen Konsortium EMC 3D sowie in den strategischen Arbeitsgruppen der ITRS, Semi, Sematech, iNemi steht auch international eine Plattform zur Verfügung, um die Entwicklung im Bereich der 3D Systemintegration mitzubestimmen und schnell auf neue Herausforderungen reagieren zu können. So hat bereits die Teilnahme des Fraunhofer IZM-ASSID auf dem Gemeinschaftsstand Made in Germany auf der Semicon 2010 in Tokio die Aufmerksamkeit bedeutender Firmen in Asien erregt und den Grundstein für weitere Kooperationen gelegt.

Das Fraunhofer IZM-ASSID ist Mitglied im Verein Silicon Saxony. Dadurch steht ein ausgezeichnetes Netzwerk zur Verfügung, um Synergien zwischen Partnern aus Industrie, Wissenschaft und Forschung zu nutzen.
Auf wissenschaftlichem Gebiet arbeitet das Fraunhofer IZM-ASSID eng mit den Fraunhofer Instituten IZFP, ENAS, IIS-EAS im Freistaat Sachsen zusammen, um das Thema 3D Systemintegration allumfassend vom Entwurf über die Technologie bis zur Zuverlässigkeit zu betrachten. Um eine enge Verknüpfung von Grundlagen- und angewandter Forschung und Entwicklung zu ermöglichen, bestehen darüber hinaus Kooperationen mit den Technischen Universitäten in Berlin, Dresden und Chemnitz.
Auf internationaler Ebene steht das Fraunhofer IZM-ASSID an vorderster Stelle im Wettbewerb mit anderen Instituten und Einrichtungen auf dem Gebiet der 3D Systemintegration. Gegenwärtig werden auch Gespräche zur weiterführenden strategische Kooperationen mit dem LETI in Frankreich und dem IMEC in Belgien geführt, um in Europa die führende Position zu festigen und auszubauen.

Das ASSID-Team mit zurzeit 29 wissenschaftlichen und technischen Mitarbeitern in Dresden wird im Jahr 2011 weiter personell verstärkt werden, um den hohen Anforderung bezüglich schneller Prozessentwicklung und Implementierung gerecht zu werden und den Industriepartnern ein stabiler und zuverlässiger Partner zu sein. Darüber hinaus haben die Forscher auch schon weiterführende Pläne für den Ausbau der Infrastruktur am Fraunhofer IZM-ASSID und sehen dies als Beitrag zur Stärkung des Wissenschafts-, Forschungs- und Fertigungsstandortes im Freistaat Sachsen und Deutschland. Weitere Informationen: http://www.izm.fraunhofer.de/abteilungen/hdi/assid/index.jsp - Homepage des Fraunhofer IZM-ASSID

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