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Röntgenlampen für die Herstellung von Halbleiterchips

16.01.2001 - (idw) Bayerische Julius-Maximilians-Universität Würzburg

An der Entwicklung von speziellen Röntgenlampen tüftelt derzeit ein bundesweiter Forschungsverbund, dem auch Physiker von der Universität Würzburg angehören: Die neuartigen Lampen sollen künftig die Produktion von Halbleiterchips ermöglichen, auf denen so viele Schalt- und Speicherelemente Platz finden wie noch nie zuvor.

Bei der Herstellung von Halbleiterchips, wie sie heute unter anderem in jedem Computer verwendet werden, ist derjenige Produzent Marktführer, der die meisten Bauelemente auf einer Oberfläche unterbringen kann. Bei der industriellen Fertigung wird zunächst ein großflächiges Muster der gewünschten Struktur hergestellt. Dieses wird dann optisch verkleinert auf ein mit Fotolack überzogenes Halbleiterscheibchen abgebildet. Nach verschiedenen solchen Belichtungs-, Aufdampf- und Ätzschritten entsteht so der vom Konstrukteur entworfene Chip.

Dabei hängt die Feinheit der erreichbaren Strukturierung von der Qualität der optischen Abbildung ab. Aus physikalischen Gründen ist die kleinstmögliche Struktur durch die Wellenlänge des verwendeten Lichts festgelegt. Daher werden für die Belichtung heutzutage Ultraviolettlaser mit den kürzestmöglichen Wellenlängen verwendet.

Zur Zeit rüsten die Chiphersteller ihre Belichtungsapparaturen auf Fluor-Laser um, die bei einer Wellenlänge von 157 Nanometern arbeiten, wobei ein Nanometer einem Milliardstel Meter entspricht. "Diese Wellenlänge erlaubt die Herstellung von etwa 100 Nanometer großen Strukturen", so der Würzburger Physiker Prof. Dr. Hansheinrich Langhoff. Anders gesagt: Auf einen Chip passen in diesem Fall ungefähr eine Milliarde Schalt- bzw. Speicherelemente.

Für die nächste Chip-Generation mit noch feineren Strukturen benötigt man Belichtungsapparaturen für noch kleinere Wellenlängen. Dabei treten laut Prof. Langhoff zwei Probleme auf: Zum einen gibt es keine Linsen für die Abbildung in diesem Wellenlängenbereich. Jedoch sei es in letzter Zeit gelungen, dielektrische Spiegel herzustellen, die in einem schmalen Wellenlängenbereich um 13 Nanometer, dem so genannten extremen Ultraviolett- oder weichen Röntgenbereich, gut reflektieren und so hochwertige optische Abbildungen ermöglichen.

Das zweite, entscheidende Problem ist die Verfügbarkeit einer intensiven Lichtquelle für die Belichtung. Da es für diese Wellenlänge keine Laser gibt, kommt nur eine Röntgenlampe mit einer extrem heißen und dichten, punktförmigen Plasmaquelle in Frage. Diese muss Eigenschaften aufweisen, wie sie etwa im Inneren der Sonne vorliegen.

Eine solche Röntgenlampe will der bundesweite Forscherverbund entwickeln. Die Aufgabe der Arbeitsgruppe von Prof. Langhoff besteht darin, das heiße Plasma in einer speziellen Hochstrom-Gasentladung zu erzeugen. Dazu wird ein Stromimpuls von rund 100.000 Ampere durch eine enge, gasgefüllte Kapillare geschickt. Die dabei auftretenden magnetischen Kräfte bewirken, dass sich der Strom zu einem dünnen, heißen Faden zusammenzieht. Wird die Kapillare mit Sauerstoff oder Xenon gefüllt, dann entsteht eine intensive Strahlung mit der gewünschten Wellenlänge von 13 Nanometern.

Das Würzburger Projekt wird vom Bundesministerium für Bildung und Forschung unterstützt. Gegen Ende des Jahres 2000 sollten die physikalischen Grundlagen soweit erarbeitet sein, dass entschieden werden kann, ob dieses Konzept gegenüber den anderen Lösungsvorschlägen Vorteile bietet. Dann kann mit der technischen Konstruktion der Lampe begonnen werden.

Prof. Langhoff: "Dabei ist die Konkurrenz mit anderen Industrienationen, vor allem den USA, gewaltig. Die Industrie rechnet damit, dass diese neuen Belichtungsmaschinen in etwa drei Jahren einsatzbereit sind. Theoretisch könnte die Zahl der Speicherelemente auf einem Chip damit nochmal um den Faktor 100 erhöht werden."

Weitere Informationen: Prof. Dr. Hansheinrich Langhoff, T (0931) 888-5739, Fax (0931) 888-4906, E-Mail:

langhoff@physik.uni-wuerzburg.de
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