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BMBF-Fachgespräch zur III/V-Heteroepitaxie auf Si-Substraten

28.01.2002 - (idw) VDI Technologiezentrum GmbH

Am 28.01.02 diskutieren Experten neue Entwicklungen beim geordneten Schichtwachstum (Epitaxie) von Verbindungshalbleitern auf Si-Substraten bei einem Fachgespräch, dass das VDI-Technologiezentrum im Auftrag des Bundesministerium für Bildung und Forschung BMBF organisiert.

Im September 2001 verkündete die Firma Motorola, ihnen sei ein Durchbruch bei der Epitaxie von GaAs auf Si gelungen. Wenige Tage später berichtete die Aixtron AG über die Entwicklung eines MOCVD-Prozesses (Metal Oxide Chemical Vapor Deposition) zur Abscheidung GaN auf Si-Wafern. Beide Meldungen nähren die Hoffnung, es sei damit der Grundstein für eine kostengünstige, auf Silizium basierende, Opto- bzw. Hochfrequenz- und Leistungselektronik gelegt.

Ca. 25 Fachleute aus Industrie und Wissenschaft diskutieren am 28.01.02 die Bedeutung dieser Entwicklungen. Im Rahmen seiner Technologiefrüherkennungsaktivitäten hat das VDI-Technologiezentrum in Kooperation mit der DLR und im Auftrag des BMBF zu einem Fachgespräch mit dem Titel III/V-Heteroepitaxie auf Si-Substraten nach Bonn geladen.

Gegenstand des Fachgespräches sind folgende Fragestellungen:
1. Herstellungstechnologien von Verbindungshalbleitern auf Si-Substraten: Welche Vor- und Nachteile haben die von Motorola eingesetzte Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) bzw. das von Aixtron favorisierte MOCVD-Verfahren?
2. Bedeutung und Anwendungsspektrum von Verbindungshalbleitern auf Si-Substraten: Welche potenziellen Anwendungsfelder gibt es in der Opto- bzw. Hochfrequenz und Leistungselektronik? Welche Anforderungen sind für welches Einsatzgebiet an die Substrate zu stellen? Welche Vor- bzw. Nachteile ergeben sich gegenüber konventionellen Substraten? Welches Substitutionpotenzial ergibt sich gegenüber konventioneller III/V- und SiGe-Technologie?
3. Motorola-Technologien und Patentsituation: Wie funktioniert die Motorola -Technologie? Sind die Schichtqualitäten gut genug für den technologischen Einsatz? Erlaubt die Patentsituation parallele Entwicklungen?
4. High-K Materialien als Zwischenschicht bzw. Gate-Isolator: Welche Anforderungen werden an Metalloxide auf Si, einerseits als Gate-Oxide, andererseits als Zwischenschicht in der III/V-Heteroepitaxie auf Si-Substraten gestellt?
5. Handlungsbedarf: Wo gibt es F&E Handlungsbedarf? Wo liegen die Stärken und Schwächen am Standort Deutschland?

Weitere Auskünfte:
Dr. Andreas Hoffknecht
VDI-Technologiezentrum
Abt. Zukünftige Technologien
Graf-Recke-Strasse 84
D-40239 Düsseldorf
Tel.: +49(0)211-6214-4 56
Fax: +49(0)211-6214-1 39
e-mail: hoffknecht@vdi.de
www.zukuenftigetechnologien.de
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